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　　美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内1984年出生今年多大年龄，1984年出生今年多大2022(nèi)关键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储(1984年出生今年多大年龄，1984年出生今年多大2022chǔ)等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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