大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安(ān)10亿人民币在日本算有钱吗，日本10亿等于人民币多少钱全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问(wèn)题(tí)危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中国(guó)市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdi10亿人民币在日本算有钱吗，日本10亿等于人民币多少钱a（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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