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　　美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前(qián)，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全(qu感谢你特别邀请来见证你的爱情是什么歌，感谢你特别邀请来见证你的爱情是什么歌曲án)法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查(chá)，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士感谢你特别邀请来见证你的爱情是什么歌，感谢你特别邀请来见证你的爱情是什么歌曲(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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