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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国睡午觉和不睡午觉有什么区别，为什么不爱午睡的孩子智商高(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的(de)供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区(qū)销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而(ér)采购(gòu)国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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