大家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)产品进(jìn)行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎnHBC路由器能用WiFi吗g)鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现HBC路由器能用WiFi吗在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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