大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安(ān)全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美(měi)光(guāng)等(děng)国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游(yóu)建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国(g竹荪煮多久uó)产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zà竹荪煮多久i)已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设(shè)备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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