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　　美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关(guān)键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。sand可数吗还是不可数，thousand可数吗ng>

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据(jù)《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网络sand可数吗还是不可数，thousand可数吗(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(ssand可数吗还是不可数，thousand可数吗hǎn)存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。