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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全怎敢误佳人的前一句是什么意思，两袖清风怎敢误佳人下一句怎么接(quán)审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(怎敢误佳人的前一句是什么意思，两袖清风怎敢误佳人下一句怎么接shàng)海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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