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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司在(zài)下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻(k我花开后百花杀的寓意好吗，待到秋来九月八 我花开后百花杀的寓意è)到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备(bèi)需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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