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美国各州的缩写是什么,美国各州缩写英文字母

美国各州的缩写是什么,美国各州缩写英文字母 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审查

  据网信(xìn)办消(xiāo)息,日前(qián),网络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

  审查(chá)发现(xiàn),美光公司产品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患,对我国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全风险,影响(xiǎng)我国国家安(ān)全(quán)。为此,网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规,我国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

  此次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审查,目的是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全,是(shì)维护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放(fàng),只要遵守中国(guó)法律法规要求,欢(huān)迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中(zhōng)国网信网发文称,为(wèi)保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全,防(fáng)范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风(fēng)险(xiǎn),维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全,依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法》,网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》,对美(měi)光(guāng)公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

  半导(dǎo)体突发!中国出(chū)手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头,也是全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī),2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

  美光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下(xià)降,至少已经(jīng)不(bù)是主要大供(gōng)应商(shāng)。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商,采购约(yuē)31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显美国各州的缩写是什么,美国各州缩写英文字母示(shì),江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约,确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性(xìng),巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势,公司也与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

  有券(quàn)商此前就分(fēn)析,如果美光在中国区销售受到限制,或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì),国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备美国各州的缩写是什么,美国各州缩写英文字母。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60:1的(美国各州的缩写是什么,美国各州缩写英文字母de)深孔(kǒng),未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽,催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露,薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75%。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单,设备(bèi)国(guó)产化进程加速(sù),看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技(jì)(薄膜(mó)沉积)等(děng)相关公(gōng)司份额(é)提升,以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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