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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施(shī)安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下(xià)游(yóu)客户(hù)转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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