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　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我国(guó)关键信息基(jī)谢娜给刘烨打过几次胎，谢娜和刘烨怀孕过吗础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(谢娜给刘烨打过几次胎，谢娜和刘烨怀孕过吗pǐn)进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 S谢娜给刘烨打过几次胎，谢娜和刘烨怀孕过吗K 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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