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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司供应中国四大佛山是哪些 四大佛山在哪几个省商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购(gòu)金额占中国四大佛山是哪些 四大佛山在哪几个省比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名(míng)单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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