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　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网络(luò)安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平(píng)台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采n. v. adj. adv.是啥，英语词性分类12种及缩写购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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