大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查(chá)发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络(lu学生级和届怎么区分，毕业的级和届怎么区分ò)安全审查(chá)，目的是(shì)防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害(hài)国(guó)家关键信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司(sī)披露过(guò)美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国(guó)内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的(de)供(gōng)应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(学生级和届怎么区分，毕业的级和届怎么区分shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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