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阴肖是指哪几个肖

阴肖是指哪几个肖 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

  据网信办消息,日(rì)前,网络安全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

  审查(chá)发现,美(měi)光公司产(chǎn)品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题隐患,对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险,影响我(wǒ)国国家安全。为此,网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规(guī),我国内(nèi)关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

  此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查,目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全,是维(wéi)护国家安全的(de)必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放,只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要求,欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:<span style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>阴肖是指哪几个肖</span>停止采购!

  3月(yuè)31日,中(zhōng)国网信网发(fā)文称,为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安全,防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险(xiǎn),维护国家安全,依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国家安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和(hé)国网络安全法》,网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

  半导体突(tū)发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī),2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57%降至2022年(nián)约11%。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西阴肖是指哪几个肖部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存(cún))市(shì)场份额约为(wèi) 96.76%,三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

  美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降,至(zhì)少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商,采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28%阴肖是指哪几个肖、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì),江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约,确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性,巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势,公(gōng)司(sī)也与国(guó)内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

  有券(quàn)商此前(qián)就分析,如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì),或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

  分析称,长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤,同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo),催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开(kāi)支合计为(wèi)75%。自(zì)长江存储被(bèi)加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单,设备(bèi)国产化进程加(jiā)速,看好拓荆科技(jì)(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以及(jí)存(cún)储业(yè)务(wù)占比较高的(de)华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入(rù)增长。

 

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