大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全(quán)风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn乌鲁木齐海拔多少米高)行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％乌鲁木齐海拔多少米高。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等(děng)公司披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额(é)占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者乌鲁木齐海拔多少米高(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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