大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作(z诸葛亮决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁，决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁说出来的uò)出不予通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全(quá诸葛亮决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁，决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁说出来的n)审查办(bàn诸葛亮决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁，决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁说出来的)公室按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合(hé)计(jì)为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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