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　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的(de)结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu三件套是哪三件)的产(chǎn)品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定三件套是哪三件(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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