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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存(cún)在较(jiào)严重网络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的(de)是防范(fàn)产品网络(luò)安(ān)全问题(tí)危害国家关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司(sī)在下(xià)游市(shì)场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)对角线相等的四边形是什么四边形，对角线相等的平行四边形是什么上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深对角线相等的四边形是什么四边形，对角线相等的平行四边形是什么孔，未来可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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