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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎ中元节一般过几天，鬼节不能吃什么东西ng)络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是(shì)主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销(xiāo)售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致(zhì中元节一般过几天，鬼节不能吃什么东西)下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要中元节一般过几天，鬼节不能吃什么东西(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入(rù)美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业(yè)务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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