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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全(quán)的必要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过(guò)美(měi)光(guāng)等(děng)国际(jì)存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分(fēn)稚优泉这个牌子怎么样，稚优泉这个牌子怎么样啊别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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