大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息(xī)胸围88是多大罩杯，胸围88是多大尺码文胸基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国(guó)国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn胸围88是多大罩杯，胸围88是多大尺码文胸)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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