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十公分有多长 10厘米就是10公分吗

十公分有多长 10厘米就是10公分吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

  据网(wǎng)信办(bàn)消息,日前,网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审(shěn)查。

  审(shěn)查发现,美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患(huàn),对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险,影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此,网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规,我国内(nèi)关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

  此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查,目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全(quán),是维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放,只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú),欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入(rù)中国市场。

  半导体突发(fā)!中国出手:停(tíng)止采(cǎi)购!

  3月31日(rì),中国网(wǎng)信(xìn)网发文称,为保障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链安全,防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险,维护(hù)国(guó)家安(ān)全,依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》,网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

  半导(dǎo)体突发!中(zhōng)国出(chū)手:停止采购!

  美光(guāng)是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙头,也(yě)是全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一,2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市(shì)场份(fèn)额(é)约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中(zhōng),江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

  美光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采购占十公分有多长 10厘米就是10公分吗比已(yǐ)经显著下降,至少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约,确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性(xìng),巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势,公司也(yě)与(yǔ)国十公分有多长 10厘米就是10公分吗(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

  有(yǒu)券商此前(qián)就分(fēn)析,如果美光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制,或将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士,国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

  分析(xī)称,长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤,同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深(shēn)孔,未(wèi)来可(kě)能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽,催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露,薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75%。自长江存(cún)储被加(jiā)入美(měi)国限制名单,设(shè)备国产化进程(chéng)加(jiā)速(sù),看好拓(tuò)荆科(kē)技(薄(báo)膜沉(chén)积)等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升,以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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