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　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关键信息(手指的速度越快声音越大，撞得越快叫的声音越xī)基(jī)础设施的(de)运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维(w手指的速度越快声音越大，撞得越快叫的声音越;'>手指的速度越快声音越大，撞得越快叫的声音越éi)护国(guó)家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是(shì)全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩固(gù)公(gōng)司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的(de)孔或(huò)者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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