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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)抗日战争胜利的时间是哪一年，抗日战争胜利的时间是哪一年到哪一年发(fā)现，美光公司(sī)产品存(cún)在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防(fáng)范产(chǎn)品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头(tóu)，抗日战争胜利的时间是哪一年，抗日战争胜利的时间是哪一年到哪一年也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技(抗日战争胜利的时间是哪一年，抗日战争胜利的时间是哪一年到哪一年jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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