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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严(yán)迪奥丝绒和哑光有什么区别，迪奥丝绒和哑光哪种好看重网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查，目(mù)的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì迪奥丝绒和哑光有什么区别，迪奥丝绒和哑光哪种好看)外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服(fú)务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与迪奥丝绒和哑光有什么区别，迪奥丝绒和哑光哪种好看三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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