大家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消(xi一般上大一是多少岁，大一是多少岁哪年的or: #ff0000; line-height: 24px;'>一般上大一是多少岁，大一是多少岁哪年的āo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等(děng)国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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