大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的(de)结(jié)论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络(luò)安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NA爪zhua跟爪zhao的区别组词，爪zhua跟爪zhao的区别图解ND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(k爪zhua跟爪zhao的区别组词，爪zhua跟爪zhao的区别图解è)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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