大家好，来看(kàn)一(yī)则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前(qián)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎ禁脔是啥意思，女人的玉露是什么意思ng)信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光(guāng)等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公禁脔是啥意思，女人的玉露是什么意思告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确(què)保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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