大家(jiā)好，来看一(yī)则突(tū)发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安(ān)全(quán)，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。单反可以带上飞机吗p>

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(单反可以带上飞机吗shì)场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品单反可以带上飞机吗g>

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。