大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华(huá)销售的(de)产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产(chǎn)品服(fú)务(wù)进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)法》，h2so4是什么化学名称怎么读，hno3是什么化学名称对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实(shí)施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过(guò)美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作h2so4是什么化学名称怎么读，hno3是什么化学名称。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售(shòu)受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器(qì)的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需(xūh2so4是什么化学名称怎么读，hno3是什么化学名称)求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务(wù)占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 h2so4是什么化学名称怎么读，hno3是什么化学名称