大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)疏离感和陌生感的意思是什么，疏离感和陌生感的区别息基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品(pǐn)疏离感和陌生感的意思是什么，疏离感和陌生感的区别p>

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限(xiàn)制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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