大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按(à欧莱雅精华肌底液好用吗，欧莱雅肌底液的作用和功效ght: 24px;'>欧莱雅精华肌底液好用吗，欧莱雅肌底液的作用和功效n)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的(de)供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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