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观摩和观看的区别和联系,观摩和观看的区别在哪

观摩和观看的区别和联系,观摩和观看的区别在哪 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

  据网信办(bàn)消(xiāo)息,日前(qián),网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了(le)网络安全(quán)审查。

  审查发现,美(měi)光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患,对我国(guó)关(guān)键信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大安全风险,影响我国国家安全(quán)。为此,网络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律法规,我国内关键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

  此次(cì)对美(měi)光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查,目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全,是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开放(fàng),只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要求,欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

  半(bàn)导(dǎo)体突发!中国出手:停(tíng)止采购(gòu)!

  3月31日,中国网信(xìn)网发文称,为保障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全,防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患(huàn)造(zào)成网络安(ān)全风险,维护(hù)国家安全,依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》,网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查。

  半导体(tǐ)突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头,也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一,2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市(shì)场咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

  美光在(zài)江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降,至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大(dà)供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商(shāng),采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额(é)占比分(fēn)别是(shì)26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合(hé)约,确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性,巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势,公司(sī)也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

  有券商此前就分析,如果美光在中国区销售受到限制,或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士,国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

  分析称,长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤,观摩和观看的区别和联系,观摩和观看的区别在哪同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60:1的深孔,未(wèi)来(观摩和观看的区别和联系,观摩和观看的区别在哪lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽,催生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露,薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75%。自(zì)长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单,设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速,看好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积)等相关公司份(fèn)额提升(shēng),以及存储业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等(děng)收入增长(zhǎng)。

 

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