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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础东莞属于几线城市设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依(yī)据(jù)《中华人民(mín)共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，东莞属于几线城市江波龙第一(yī)大、第(dì)二(èr)大(dà)和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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