大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国陈睿怎么了，b站陈睿事件(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国家陈睿怎么了，b站陈睿事件安全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约陈睿怎么了，b站陈睿事件(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂商为(wèi)公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合(hé)约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 陈睿怎么了，b站陈睿事件