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　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品(pǐn)网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和(hé)国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)美国领土超过中国了吗，美国领土比中国领土大吗示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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