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　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重(zhòng夏天家中有小飞虫怎么办 夏天家中有小飞虫怎么消灭)网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sā夏天家中有小飞虫怎么办 夏天家中有小飞虫怎么消灭n)星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额(é)提升，以及(jí)存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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