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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进(却之不恭受之无愧是什么意思，却之不恭受之有愧是接受还是拒绝jìn)高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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