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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī纪梵希口红属于什么档次，一张图看懂口红档次)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎn纪梵希口红属于什么档次，一张图看懂口红档次g)鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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