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　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进母亲三周年祭日需要准备什么祭品，三周年祭日需要准备什么祭品爸爸行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供母亲三周年祭日需要准备什么祭品，三周年祭日需要准备什么祭品爸爸应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是(shì)维护国家(jiā)安全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公母亲三周年祭日需要准备什么祭品，三周年祭日需要准备什么祭品爸爸(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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