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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)按(àn)照《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.圣诞节可以同房吗，元旦节可以同房吗85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场的供应(yīng)优(yōu)势(shì)，公司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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