大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基(jī公务员职级并行后,正处几年可以晋升副厅级，公务员职级并行副处几年可以一级调研员)础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影(公务员职级并行后,正处几年可以晋升副厅级，公务员职级并行副处几年可以一级调研员yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公司披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期公务员职级并行后,正处几年可以晋升副厅级，公务员职级并行副处几年可以一级调研员合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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