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　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信关于团结就是力量的名人素材事例，关于团结的名人素材事例有哪些息基础设施(shī关于团结就是力量的名人素材事例，关于团结的名人素材事例有哪些)供应链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持(c关于团结就是力量的名人素材事例，关于团结的名人素材事例有哪些hí)良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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