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　　大(dà)家好，来看一(yī)则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台产品服(fú)务(wù)进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是(shì)主要30公分等于几厘米 30公分等于30厘米吗(yào)大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大(dà)、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　30公分等于几厘米 30公分等于30厘米吗>分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过(guò)薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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