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　　美(měi)光公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全。正实数包括0吗包括负数吗，正实数包括零吗g>为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全(quán)审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全的(de)必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；20正实数包括0吗包括负数吗，正实数包括零吗22年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业(yè)务占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。