大家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光(gu一米等于多少微米等于多少纳米，一厘米等于多少微米āng)公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售(shòu)受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限制名单(dān)，设(shè)备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜一米等于多少微米等于多少纳米，一厘米等于多少微米沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增长。

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