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耐克和aj哪个档次高,耐克和aj的区别鞋标 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则(zé)突发消息。

  美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

  据网信办消息,日(rì)前,网络安全审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患,对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险,影响我国国家安全(quán)。为此,网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全(quán)法》等法(fǎ)律法(fǎ)规,我国(guó)内关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

  此次对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查,目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全,是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放,只要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求,欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国(guó)网信网发文(wén)称,为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安(ān)全,防范产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险,维护国家安(ān)全(quán),依据《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和(hé)国网络(luò)安(ān)全法》,网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审查(chá)耐克和aj哪个档次高,耐克和aj的区别鞋标办法》,对美光(guāng)公司(Micron)在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  美光是美国的存储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一,2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计(jì),2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约(yuē)为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM (内存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等(děng)公(gōng)司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

  美(měi)耐克和aj哪个档次高,耐克和aj的区别鞋标光在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng),至少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示(shì),江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约,确保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性,巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势,公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良好的(de)合作。

  有券(quàn)商此(cǐ)前就分析,如果美光在(zài)中国区销售受到限制,或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力士,国(guó)内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对(duì)产品

  分析称,长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤,同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽,催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单(dān),设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速,看好(hǎo)拓荆科技(薄(báo)膜沉积)等相关公司份(fèn)额提(tí)升,以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗)等收入增长。

 

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