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女生拉黑就是极度讨厌吗,拉黑多久不联系就是彻底结束 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患,对(duì)我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险,影(yǐng)响我国国家安全。为此,网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规,我(wǒ)国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

  此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查,目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全,是维(wéi)护国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开(kāi)放,只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规要求,欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

女生拉黑就是极度讨厌吗,拉黑多久不联系就是彻底结束>  半导体突发(fā)!中国(guó)出手:停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发文称,为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全(quán),防(fáng)范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安(ān)全风(fēng)险,维护国家安全(quán),依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网(女生拉黑就是极度讨厌吗,拉黑多久不联系就是彻底结束wǎng)络安全(quán)法》,网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》,对美(měi)光公司(Micron)在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络(luò)安全审查。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu),也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一,2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰(fēng)57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、S女生拉黑就是极度讨厌吗,拉黑多久不联系就是彻底结束K 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存(cún))市场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司(sī)披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商(shāng)。

  美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降,至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

  公告显示(shì), 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商,采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán),占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合(hé)约,确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性,巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势,公司也(yě)与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此前就分析,如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制,或将导(dǎo)致下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士(shì),国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

  分(fēn)析称,长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代,2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60:1的(de)深孔,未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽,催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露(lù),薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计(jì)为(wèi)75%。自长江存储被加入美国限制名单,设备(bèi)国产化进(jìn)程(chéng)加速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉积(jī))等相关公司份额提升,以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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